三星的3nm工艺将采用未来3月1nm的英特尔3年台积电一年

发表于2019-05-23 分类:mobile.48365365.com 浏览次数:999次
在晶圆代工市场,台积电台积电以7nm的胜利赢得了近7个订单,因此三星10nm节点不会在短时间内启动,10nm节点也不会滞后。只有nm,三星的专有Exynos和IBM的7纳米订单,台积电已推出7纳米节点的领导者一年。
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自7nm以来,三星和台积电也推出了6nm,5nm和3nm工艺。其中,台积电还投资200亿美元在3纳米节点建设工厂,但没有透露有关3纳米工艺路线图和技术水平的细节。
最近,三星在美国铸造论坛上宣布了自己的工艺路线图。FinFET工艺在7,6,5和4 nm之后转换到GAA包络栅晶体管工艺,第一代GAA工艺从3 nm节点开始(正式称为3GAE工艺)。
三星使用基于新GAA晶体管结构的纳米芯片器件开发了多桥通道FET(MBCFET)。这显着改善了晶体管性能并取代了FinFET晶体管技术。
此外,MBCFET技术与FinFET现有的制造工艺技术和设备兼容,以促进工艺开发和制造。
根据三星的路线图,它计划在2021年大规模生产3GAE工艺。目前,台积电将进入近3纳米节点。但台积电尚未确认3nm的技术细节。这意味着三星已经领导了GAA流程。
根据IBF(国际商业战略)首席执行官HandelJones的说法,三星的3nm GAA流程技术上比台积电提前一年,比英特尔提前一到两年。三星可以说超过台积电和英特尔3纳米。
然而,三星的雄心并不仅限于此。目前,还没有公司宣布过3纳米或更晚的半导体工艺。在这一点上,每个人都认为摩尔定律在3 nm之后完全失效,并且需要通过量子物理学验证。三星希望通过GAA工艺开发2nm工艺,并将在未来实施1nm工艺。





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